日本：低电压大规模集成电路技术取得突破

2011.08.01 来源: 互联网大字

新华网北京２月９日电日本东芝公司日前说，该公司通过调整静态随机存取存储器内部控制机制，使低电压下ＳＲＡＭ出错率大幅下降。这是研制低电压大规模集成电路的一项关键技术突破。

东芝公司８日发表新闻公报说，它们开发出一种实用的新工具，解决了设计效率低的问题。在试制的大规模集成电路中，研发人员使用０.７伏特电源电压进行测试。结果发现，ＳＲＡＭ出错的概率大幅下降，只有原先使用０.７伏特电压时的万分之一。

低电压是大规模集成电路的发展趋势，这种集成电路的优点是电力消耗下降，集成电路产生的热量减少，集成度可以进一步提高。而困扰这一技术进步的瓶颈是，组成大规模集成电路的“细胞”——ＳＲＡＭ在低电压下极易出错。修正这一问题，需要调整元件参数。

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