三星发飙：半导体28nm FD-SOI投片功耗暴降一半

2015.12.31 来源: 互联网大字

前两天，快科技曾报道，华人科学家胡正明教授刚刚被美国总统奥巴马授予2015年全美*高技术奖。

作为半导体业界的翘楚，他在采访中谈到，在25nm看到尽头时美国**曾向业界征集方案，胡教授之后提出了FinFET和UTB-SOI(FD-SOI)，前者我们很熟悉，后者的中文名称是“全耗尽绝缘硅”。

从技术上比较简单的区分就是，FinFET是立体型晶体管，而FD-SOI仍是平面型。

虽然1Xnm已经进入消费领域，但是20nm远没有要到退出市场的地步，还有大量的产品需求。

据外媒报道，三星LSI业务总监KelvinLow称，他们和意法半导体合研的28nmFD-SOI已经开始投产，法国半导体公司SoitecSA提供SOI基底材料。

FD-SOI*大的亮点在于超低功耗，尤其是对比HKMG(后闸极，约50%+)，如今物联网(IoT)、汽车等嵌入开发对芯片的这一特性非常敏感，ST、飞思卡尔等都明确表态支持且等待排片。

当然，值得一提的是三星的“好基友”GlobalFoundries，他们在7月份***发了22nmFD-SOI，电压做到了业界*低的0.4V，**三星一年。

GF现在境遇不佳，屡屡被传出收购，如果明年22nmFD-SOI供货不理想，三星很有可能直接发怒当“接盘侠”。

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