你以为手机128GB机身存储就足够大了?三星告诉你,远远没有到终点。今天,三星宣布,他们已经量产*新、*快的UFS2.0闪存芯片,容量高达256GB。几乎可以确定,这是未来旗舰机皇的标配。
除了高达256GB的容量外,这款闪存芯片的速度也是相当逆天,支持*新的UFS2.0规范,读/写操作IOPS分别可达45,000、40,000,比上一代UFS闪存快了一倍。
此外,得益于串行界面以及全双工运行(可同时读写操作),三星这款UFS2.0256GB闪存的持续读、写速度分别可达850MB/s、260MB/s。其中,读取速度比大多数电脑上的SATASSD都要快。
随着手机拍照性能的发展,未来将有越来越多的4K视频录制和回放场景,而这正是三星UFS2.0256GB闪存的用武之地。
三星强调,这款闪存芯片要比传统microSD体积更小、容量更大、速度更快,也是在暗示,手机厂商已经**没有必要再支持microSD扩展卡了。
不过遗憾的是,三星*新的旗舰机GalaxyS7、S7Edge没能赶上,不出意外的话,三星下一款旗舰GalaxyNote6应该有望用上它,同时搭配自己生存的6GBLPDDR4内存芯片。
投稿作者:孤芳不自赏46
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